晶体管
晶体三极管
晶体三极管、双极型晶体管、半导体三极管,一个东西。
一个硅片上造出三个区域,形成两个PN结,由NPN型和PNP型。引出来的三个脚分别为集电极、基极、发射极


晶体管是放大电路的核心元件,他能控制能量转换,将微小变化不失真的放大。
和前面二极管在稳点工作点附近的分析的这种感觉有点像,在三极管工作在有直流偏置的小信号放大状态时,认为是一个直流型号叠加一个交流信号。
三极管可以放大的机理应该属于半导体物理的范围,这里只关注外特性倒是问题也不大,和二极管一样,只是拿来使用。
对于一个NPN管,工作在放大时,需要满足的条件:
集电极电位高于发射极
be正偏,bc反偏

PN结是个二极管,因此拿到一个晶体管,可以使用万用表测测三个脚,根据电阻数值可以判断管的类型。
基本共射放大电路的三极管放大原理图

从外部看有
IE=IC+IB
做一些定义:βˉ=IBIC为直流电流放大系数,β=ΔiBΔiC为交流电流放大倍数。
穿透电流和集电极反向电流有个小关系
ICEO=(1+βˉ)ICBO
即使B开路,CE也有电流,这是三极管质量好坏的重要参数。
三极管输入输出特性
输入特性,uCE为常数
iB=f(uBE)

如果UCE=0,输入特性和二极管一样的,相当于两个二极管并联了。
随着UCE增大,曲线右移,得到同样的iB,uBE要增加。
随着UCE增大到一定程度,曲线不右移了。
对于小功率管,可以使用UCE>1的一条输入特性代替所有的输入特性,但是要明白做了个近似。
输出特性,IB为常数
iC=f(uCE)

平行于横轴的这块区域,是个受控电流源。模拟电路哟啊千方百计的让工作区域不要在饱和区和截止区。
根据这个图β=ΔiBΔiC不是常量。
在理想条件下β处处相等,会有β=βˉ。
在截止区,uBE<Uon
放大区,uBE≥Uon,iC=βiB
饱和区,uBE≥Uon,uCE<uBE
主要参数
直流参数,ICEO,ICBO
βˉ=IBIC−ICEO
αˉ=IEIC
交流参数
β=ΔiBΔiC
α=ΔiEΔiC
使得β=1的信号频率fT
极限参数
最大集电极电流ICM
最大集电极耗散功率PCM
ce击穿电压U(BR)CEO
在各种极限参数的限制下,晶体管的安全工作区是有范围的

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