晶体管

晶体三极管

晶体三极管、双极型晶体管、半导体三极管,一个东西。

一个硅片上造出三个区域,形成两个PN结,由NPN型和PNP型。引出来的三个脚分别为集电极、基极、发射极

晶体管是放大电路的核心元件,他能控制能量转换,将微小变化不失真的放大。

和前面二极管在稳点工作点附近的分析的这种感觉有点像,在三极管工作在有直流偏置的小信号放大状态时,认为是一个直流型号叠加一个交流信号。

三极管可以放大的机理应该属于半导体物理的范围,这里只关注外特性倒是问题也不大,和二极管一样,只是拿来使用。

对于一个NPN管,工作在放大时,需要满足的条件:

  • 集电极电位高于发射极

  • be正偏,bc反偏

PN结是个二极管,因此拿到一个晶体管,可以使用万用表测测三个脚,根据电阻数值可以判断管的类型。

基本共射放大电路的三极管放大原理图

从外部看有

IE=IC+IBI_E = I_C + I_B

做一些定义:βˉ=ICIB\bar{\beta} = \frac{I_C}{I_B}为直流电流放大系数,β=ΔiCΔiB\beta = \frac{\Delta i_C}{\Delta i_B}为交流电流放大倍数。

穿透电流和集电极反向电流有个小关系

ICEO=(1+βˉ)ICBOI_{CEO} = (1 + \bar{\beta} ) I_{CBO}

即使B开路,CE也有电流,这是三极管质量好坏的重要参数。

三极管输入输出特性

输入特性,uCEu_{CE}为常数

iB=f(uBE)i_B = f(u_{BE})

如果UCE=0U_{CE} = 0,输入特性和二极管一样的,相当于两个二极管并联了。

随着UCEU_{CE}增大,曲线右移,得到同样的iBi_BuBEu_{BE}要增加。

随着UCEU_{CE}增大到一定程度,曲线不右移了。

对于小功率管,可以使用UCE>1U_{CE} > 1的一条输入特性代替所有的输入特性,但是要明白做了个近似。

输出特性,IBI_B为常数

iC=f(uCE)i_C = f(u_{CE})

平行于横轴的这块区域,是个受控电流源。模拟电路哟啊千方百计的让工作区域不要在饱和区和截止区。

根据这个图β=ΔiCΔiB\beta = \frac{\Delta i_C}{\Delta i_B}不是常量。

在理想条件下β\beta处处相等,会有β=βˉ\beta = \bar{\beta}

在截止区,uBE<Uonu_{BE} < U_{on}

放大区,uBEUonu_{BE} \ge U_{on}iC=βiBi_C = \beta i_B

饱和区,uBEUonu_{BE} \ge U_{on}uCE<uBEu_{CE} < u_{BE}

主要参数

直流参数,ICEO,ICBOI_{CEO}, I_{CBO}

βˉ=ICICEOIB\bar\beta = \frac{I_C - I_{CEO} }{ I_B }

αˉ=ICIE\bar\alpha = \frac{I_C}{ I_E }

交流参数

β=ΔiCΔiB\beta = \frac{\Delta i_C}{ \Delta i_B }

α=ΔiCΔiE\alpha = \frac{\Delta i_C}{ \Delta i_E }

使得β=1\beta = 1的信号频率fTf_T

极限参数

最大集电极电流ICMI_{CM}

最大集电极耗散功率PCMP_{CM}

ce击穿电压U(BR)CEOU_{(BR)CEO}

在各种极限参数的限制下,晶体管的安全工作区是有范围的

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